光电池的温度特性是指开路电压和短路电流随温度变化的情况。硅光电池的参数受环境温度的影响较大，开路电压的温度系数一般为2.1mv/度，短路电的温度系数一般为+78ua/度。

　　而在频率特性上指光电池相对输出电流与光的调制频率之间关系。光电开关中当入射光照度变化时，由于光生电子空穴对的产生和复合都需要一定时间，因此入射光调制频率太高时，光电池输出电流的变化幅度将下降，硅、硒光电池的频率特性不同，硅光电池的频率特性较好，工作频率的上限约为数万赫兹，而硒光电池的频率特性较差。在一些测量系统中，光电池作为接收器件，测量调制光的输入信号，所以高速计算器的转换一般采用硅光电池作为传感器元件。