光电池实质是一个大面积PN结，上电极为栅状受光电极，栅状电极下涂有抗反射膜，用以增加透光，减小反射，下电极是一层衬底铝。当光照射PN结的一个面时，电子空穴对迅速扩散，在结电场作用下建立一个与光照强度有关的电动势，一般可产生0.2-0.6V电压50MA电流。

　　光电开关中光电池种类很多，有硒光电池、锗光电池、硅光电池、砷化镓、氧化铜等，其中硒光电池转换效率较高，价格低廉、寿命长，是使用较广泛的一种光电池。砷化镓光电池光谱响应与太阳光谱吃饱撑的合，耐高温、耐宇宙射线，是宇航光电池的首选材料。

　　光电池的主要参数有开路电压、短路电流、暗电流、最大反向电压、转换效率等。

　　1、开路电压VOC。在一定光照下，硅光电池输出端开路时，所产生的光电子电压。

　　2、短路电流ISC。在一定光照下，硅光电池所接负载电阻为零时，流过硅光电池的电流。

　　3、暗电流ID。在无光照的条件下，在硅光电池两端施加反向电压时所产生的电流。

　　4、最大反向电压VRM。使用硅光电池时所允许加的极限反向电压。

　　5、转换效率。硅光电池输出电能与输入光能量的比例。