光亦特性是根据使用材料不同光敏晶体管分为锗光敏晶体管和硅光敏晶体管，光电开关传感器使用较多的是硅光敏晶体管。光敏晶体管的光谱特性是从曲线可看出，硅材料的光敏管峰值长在0.9um附近可见光灵敏度最大，锗管的峰值波长约为1.5um红外光灵敏度最大，当入射光的波长增加或减少时，相对灵敏度也下降。一般锗管的暗电流较大，因此性能较差，所以在可见光或探测赤热状物体时，一般用硅管，对红外进行探测时用锗管较适宜。

　　伏安特性。光敏晶体管的伏安特性是指在给定的光照度下光敏晶体管上的电压与光电流的关系。光敏晶体管在不同照度下的伏安特性，就像普通晶体管在不同基极电流下的输出特性一样。在这里改变光照就相当于改变一般晶体管的基极电流，从而得到这样一族曲线。

　　光电特性是光敏晶体管的光电特性反映了当外加电压恒定时，光电流与光照度之间的关系。光敏晶体管在照度小时，光电流随照度增加较小，并且在光照足够大时，输出电流有饱和现象，这是由于光敏晶体管的电流放大倍数在小电流和大电流时都下降的缘故。给出了光敏晶体管的光电特性曲线。光敏晶体管光电特性曲线的线性度不如光敏二极管好且在弱光时光电流增加较慢。

　　温度特性。温度对光敏晶体管的暗电流及光电流都有影响。由于光电流比暗电流大得多，在一定温度范围内温度对光电流的影响比暗电流的影响要小。光敏晶体管的温度特性曲线及光敏晶体管相对灵敏度和温度的关系曲线。