1、最高反向工作电压。在光照的条件下，允许加在光敏二极管上的最高电压。

　　2、光电开关中的暗电流。在无光照的条件下，加一定的反向电压时的反向漏电流即为光敏二极管的暗电流。

　　3、光电流。受到一定光照及一定反压条件下，流过管子的电流即为光电流。一般光电流为几十微安，并且与照度成线性关系。

　　4、光敏二极管的基本特性如下：光谱特性在入射光照度一定时，光敏二极管的相对灵敏度随光波波长的变化而变化，一种光敏二极管只对一定波长范围的入射光敏感，这就是光敏二极管的光谱特性。光敏二极管的光谱特性。当入射波长>900nm时，响应下降，因波长长，光子能量小于禁带宽度，不可能产生电子一空穴对。当入射波长小于900nm时响应也逐渐下降，波长短的光穿透深度小，光子只能在半翌体表面激发电子空穴时，无法到达PN结，因此灵敏度也下降。

　　5、伏安特性。光敏二极管在反向偏压下的伏安特性，即光生电流-电压特性。当反向偏压较低时，光电流随电压变化比较敏感，这是由于反向偏压加大了耗尽层的宽度和电场强度。随反向偏压的加大，对载流子的收集达到极限，光生电流趋于饱和，这时光生电流与所加偏压几乎无关，只取决于光照强度。

　　6、光电特性。光电特性是指外加偏置电压一定时，光敏二极管的输出电和光照度的关系。一般说来，光敏二极管光电特性的线性较好。