像敏单元结构指每个成像单元的电路结构，是CMOS图像传感器的核心组件。像敏单元结构的两种类型，即被动像敏单元结构和主动像敏单元结构。前者只包含光敏二极管和地址选通开关两部分。其中像敏单元图像信号的读出时序首先是复位脉冲复位操作，光敏二极管的输出电压被置0，接着光敏二极管开始光信号的积分。当积分工作结束时，选址脉冲启动选址开关，光敏二极管中的信号便传输到列总线上，然后经过公共放大器放大后输出。

　　被动像敏单元结构的缺点是固定图案噪 声大、图像信号的信噪比较低。

　　主动像敏单元结构是当前得到实际应用的结构。它与被动像敏单元结构的最主要区别是：在敏个像敏单元都经过放大后，才通过场效应晶体管模拟开关传输，所以固定图案噪声大为降低，图像信号的信噪比显著提高。

　　主动式像敏单元结构是场效应晶体管VT1构成光敏二极管的销声匿迹，它的栅极接在复位信号线上，当复位脉冲到来时，VT1导通，光敏二极管被瞬时复位;当复位脉冲消失后，VT1截止，光敏二极管开始积分光信号。VT2为源极跟随器，它将光敏二极管的高阻搞输出信号进行电流放大。VT3用做选址模拟开关，当选通脉冲到来时，VT3导通，使被放大的光电信号输送到列总线上。