电荷耦合摄像器件CCD的突出特点是以电荷为信号载体，不同于大多数以电流或电压为信号的载体喊叫件。CCD的基本功能是电荷的存储和电荷的转移。因此CCD的基本工作过程主要是信号电荷的产生、存储、转移和检测。

　　CCD有两种基本类型：一种是电荷包存储在半导体与绝缘体之间的界面，并沿界面转移，这类器件称为表面沟道CCD;另一种是电荷包存储在离半导体一定尝试的体内沿着一定方向转移，这类器件称为体沟道或埋沟道器件。下面详细介绍CCD的基本工作原理：

　　CCD是一种以电荷包形式存储和传递信息的半导体表面器件，是在MOS结构电荷存储器的基础上发展起来的，所以有人将其称为排列起来的MOS电容陈列。一个MOS电容器是一个光敏元，可以感应一个像素点，则一个图像有多少个像素点，就需要多少个同样的光敏元，即传递一幅图像需要由许多MOS光敏元大规模集成的器件。

　　P型半导体MOS光敏元结构是制备时先在P-SI片上氧化一层SIO2介质层，其上的沉积一层金属铝作为栅极，在P-SI半导体上制作下电极。

　　其原理为：给栅极突然加一个VG正脉冲，在光电开关的金属电极板上就会充上一些正电荷，电场将P-SI中SIO2界面附近的空穴排斥走，在少数电子还未移动到此区时，在SIO2附近出现耗尽层，耗尽区中的电离物质为负离子，此时半导体表面处于非平衡状态，表面区有表面电动势，若衬底电位为0，则表面处电子的静电位能为-qs。