灵敏度：气敏光电开关MOSFET的灵敏度定义为器件阈值电压与气体体积分数的关系。当有氧气存在时，氢分子和氧分子在PD表面发生化学反应生成水分子，由于水分子吸附在PD表面，使氢的数减小。氧气密度越大，氢的覆盖系数越小，从而影响了器件的灵敏度。

　　温度特性：氢气敏感传感器在室温和惰性气体中，有一定的灵敏度，但响应时间或恢复时间太长。通过实验得到。PD栅气敏MOSFET的工作温度最好选择在一百五十度附近。

　　响应特性：当气体浓度发生变化时，PD栅气敏MOSFET的阈值电压UT随时间而变化，并逐渐达到稳定值。这一过程与气敏MOSFET的响应特性有关。气敏MOSFFR的响应特性可以用响应时间和恢复时间来描述。

　　器件从氢气阶跃变化开始直到稳定值的百分之九十五所用的时间称为器件的响应时间。器件从氢气环境突然置于空气中，器件输出达到稳定值的百分之九十五所用的时间为器件的恢复时间。

　　稳定性：PD据气敏MOSFET的阀值电压UT随时间发生缓慢的漂移，影响氢气MOSFET稳定性的因素主要有两个方面：一方面是氢敏传感器PD栅膜层的鼓包现象。另一方面是PD——SIO2-SI结构在氢气中存在滞后现象。

　　该类传感器是一种新型器件，特性沿不稳定，还不能用PD-MOSFET定量检测氢气的体积分数，只能用作H2的泄漏检测。