在航空航天中应用的磁通门磁强计的研制大都采用机械手段制备，激励线圈和接收线圈采用机械绕线方式，磁芯则采用大块的金属磁性合金，且磁导率较低，接口电路与磁通门光电开关传感元件分开制造，其结果是体积大、质量大、灵敏度低、长期稳定性差。20世纪九十年代以来，MEMS技术飞速发展，为磁通门磁强计的微系统研制提供了有交往可靠的途径。

　　磁通门磁强计的微型化和接口电路的集成化是磁通门磁强计实现微型化的必然要求。采用MEMS技术和CMOS工艺，可将磁通门传感器元件、界面控制电路集成在同一芯片上，即形成磁通门微磁强计系统。磁通门磁强计的两种微磁通门结构形式。先通过微机械加工在硅片上记得出一个U形槽，然后在槽的上面形成金属线圈的下半部分，在制备一层绝缘膜以后，再制备坡莫合金磁芯。在制备第二层绝缘膜之后，再制备金属线圈的上半部分。线圈的上、下部分合在一起，就形成一个绕在坡莫合金磁芯外部的完整线圈。用同样的方法也可制作结构但不需要开U形槽。