半导体陶瓷湿度接近开关传感器多为金属氧化物半导体材料，多以离子键为主。其表面是由未被其他离子场屏蔽的正、负离子组成的，对电子电荷具有不同的吸引力，也即表面正离子具有较大的电子亲和力。因而，在其能带结构上将在略低于导带底处出现表面受主能极，而表面负离子则在比价带项略高之处出现表面施主能极。氧化物半导体陶瓷材料通常分N型材料和P型材料，一般呈高阻态。对于N型材料，由于导带中的电子被受主俘获，故在表面形成电子耗尽层。同样，P型材料的近表面处形成空穴耗尽层，表面电阻也增加。

　　当环境湿度增 加时，P型湿敏材料吸附水分子后，最初主要表现在表面氧离子与水分子的氢相吸引，这相当于原来本征表面态氧施主能极密度下降，原来所俘获的部分空穴被释放，使耗尽层变薄，表面载流子密度增加，表面电阻下。在粒界处，并使其大大超过表面施主态密度，则在表处会形成比体内更高的空穴积垒层，使空穴热垒不复存在，空穴极易通过，接近开关传感器下降。同样，N型陶瓷湿度微接近开关传感器也会得到相同的结果。