对霍尔效应进一步研究发现，在通电流的非磁金属或半导体上施加磁场时，电阻值发生变化，此现象称为磁致电阻变化或称洛伦兹磁电阻效应，简称为磁电效应。其产生的基本原因是磁场发生改变了载流子的漂移路径，致使与外加电场同方向的电流分量减小，等价于电阻增大。通常以磁场引起的电阻率相对变化来度量磁电阻效应。
　　磁电组效应又分为物理磁电组效应和几何磁电组效应。物理磁电组效应指材料电阻率（在弱磁场中）随磁场增大的效应。磁电组效应还与样品的形状有关，不同几何形状的样品，在同样大小的磁场作用下，其电阻不同。这种只由半导体形状改变引起的磁电组效应称为几何磁电组效应。